PhotoMOS GE1a1b-资料库-工业库

PhotoMOS GE1a1b【样本】

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贡献者

江枫渔火

2012-08-03加入

文档信息

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文档摘要

1.负载电压　60V型具备低导通电阻(1Ω)、高容量(0.5A) 2.负载电压　备有60V、350V、400V 3.耐电压　5,000V(强化绝缘) 4.输出构成：1a1b